[发明专利]二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210418340.7 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103094321A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 雷燮光;安荷·叭剌;伍时谦 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法。屏蔽栅晶体管器件包括形成在第一层次上的半导体衬底中的一个或多个屏蔽电极，以及形成在第二层次上的半导体衬底中的一个或多个栅极电极，第二层次与第一层次不同。一个或多个栅极电极的一个或多个部分与一个或多个屏蔽电极的一个或多个部分重叠。至少一部分栅极电极的方向不平行于一个或多个屏蔽电极。屏蔽电极与半导体衬底电绝缘，一个或多个栅极电极与衬底以及屏蔽电极电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 屏蔽 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种屏蔽栅晶体管器件，其特征在于，包括：一个半导体衬底；一个或多个屏蔽电极，形成在半导体衬底中的第一层次上，其中所述的一个或多个屏蔽电极与半导体衬底电绝缘；一个或多个栅极电极，形成在半导体衬底中的第二层次上，所述的第二层次与所述的第一层次不同，其中所述的一个或多个栅极电极与所述的半导体衬底和所述的一个或多个屏蔽电极电绝缘，其中至少一部分所述的一个或多个栅极电极的方向不平行于所述的一个或多个屏蔽电极，其中所述的一个或多个栅极电极的一个或多个部分与一个或多个屏蔽沟槽的一个或多个部分重叠。
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