[发明专利]一种三氯氢硅的等离子体制备装置在审
| 申请号： | 201210418382.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103787337A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王红卫 | 申请（专利权）人： | 王红卫 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 孙艳 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种三氯氢硅的等离子体制备装置。包括水冷内电极，介质阻挡结构，及风冷外电极结构。等离子体放电结构包括内电极的水冷结构以及外电极的风冷结构，外电极采用网状电极，提高放电稳定性及均匀性，放电电源采用高压电源。本发明所述方法及其装置完成对四氯化硅的氢化，生成三氯氢硅，具有处理成本低、工作效率高、无环境污染等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三氯氢硅 等离子体 制备 装置 | ||
【主权项】：
一种三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，包括等离子体氢化装置，所述等离子体氢化装置包括水冷内电极、介质阻挡层、放电电源以及风冷外电极，所述外电极采用提高放电稳定性及均匀性的网状电极，所述放电电源采用高压电源。
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