[发明专利]一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201210418490.8 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102944975A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 赵海廷;孙亮;孟春霞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/42;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。本发明的掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其特征在于，所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
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