[发明专利]一种纳米Al2O3复合的耐电晕聚酰亚胺薄膜有效

专利信息
申请号: 201210419872.2 申请日: 2012-10-29
公开(公告)号: CN102993749A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 王冬;金召奎;梁蓬霞;弥永胜;赵玉真 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C08L79/08 分类号: C08L79/08;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/22;C08G73/10;C08J5/18
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种含有高浓度纳米金属氧化物的耐电晕聚酰亚胺薄膜,它主要成分包括均苯四甲酸二酐、4.4’-二氨基二苯醚和纳米级三氧化二铝,所属纳米级金属氧化物的粒径范围在30-50nm间。本发明突出优点在于合成出一种新型的偶联剂,并将其与钛酸酯偶联剂NDZ-130复配对所制备的α-Al2O3超细粉末进行了表面改性修饰,从而使改性后的纳米颗粒能够以较高的质量分数(可达30wt%)均匀稳定的分散在基体聚酰亚胺膜中。由于本发明采用以上新型的技术方案,能够较好的克服当前耐电晕聚酰亚胺薄膜制作中很难均匀地掺入高浓度纳米金属氧化物,同时保证膜的机械性能不下降的技术难题。
搜索关键词: 一种 纳米 al sub 复合 电晕 聚酰亚胺 薄膜
【主权项】:
1.一种纳米Al2O3复合的耐电晕聚酰亚胺薄膜,其组分和配比如下:基体膜成分为均苯四甲酸二酐与4.4’-二氨基二苯醚,两者的质量比为1:1.1;无机掺杂剂为新型偶联剂改性的纳米氧化铝,其所占薄膜质量分数的15-30%;所述新型偶联剂其结构通式如下所示:其中R=5-20的整数。
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