[发明专利]用于等离子处理腔室的气体喷淋头及其涂层形成方法有效
| 申请号： | 201210421403.4 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794459A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;倪图强;张翰廷;徐朝阳;王明方;万磊;杨平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于等离子体处理腔室的气体喷淋头的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积形成。所述涂层的形成包括一物理过程，其将源材料浓缩于气体喷淋头表面，还包括一化学过程，其中等离子体中的活性成份与该浓缩的源材料反应。并且，等离子体中的非反应成份轰击气体喷淋头表面以使所述涂层更紧密。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子 处理 气体 喷淋 及其 涂层 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子处理腔室的气体喷淋头，其特征在于，所述气体喷淋头包括：多孔板，其具有多个注气孔，其具有一在制程中面对并曝露于等离子体的表面；以及一形成于所述多孔板表面上的增强型涂层，其具有随机晶体取向的致密结构，其孔隙度低于3%，表面粗糙度Ra大于1um。
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