[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，所述衬底包括依次层叠的支撑衬底、氧化物绝缘层、半导体材料层；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；图案化所述第一硬掩膜层、所述半导体材料层、所述氧化物绝缘层和部分所述支撑衬底，形成具有高区和低区的阶梯形衬底；在所述高区的侧壁上形成间隙壁；在所述低区上外延生长半导体材料层，剥离剩余的所述第一硬掩膜层并平坦化，形成混合衬底；在混合衬底上形成第二硬掩膜层；蚀刻高区和低区，蚀刻所述高区至所述氧化物绝缘层，以形成第一鳍片，蚀刻所述低区至所述氧化物绝缘层以下，以形成第二鳍片。本发明所述方法更加简单、精确，进一步提高器件制备的效率和良率。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括依次层叠的支撑衬底、氧化物绝缘层、半导体材料层；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；图案化所述第一硬掩膜层、所述半导体材料层、所述氧化物绝缘层和部分所述支撑衬底，以去除部分所述第一硬掩膜层、所述半导体材料层、所述氧化物绝缘层和所述支撑衬底，形成具有高区和低区的阶梯形衬底；在所述高区的侧壁上形成间隙壁，以保护所述支撑衬底；在所述低区上外延生长半导体材料层，然后剥离剩余的所述第一硬掩膜层并平坦化，以使所述低区和所述高区平齐，形成混合衬底；在所述混合衬底上形成第二硬掩膜层；蚀刻所述高区和所述低区，蚀刻所述高区至所述氧化物绝缘层，以形成第一鳍片，蚀刻所述低区至所述氧化物绝缘层以下，以形成与所述第一鳍片高度不同的第二鳍片；在所述第一鳍片和所述第二鳍片的侧壁上形成间隙壁，以保护所述第一鳍片和所述第二鳍片；蚀刻去除部分所述低区的支撑衬底，以露出所述第二鳍片底部的支撑衬底；氧化所述第二鳍片底部的支撑衬底，以形成氧化物，作为所述第二鳍片的介电层；剥离所述第一鳍片和所述第二鳍片的侧壁上的间隙壁，以形成高度不同的鳍片。