[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210422123.5 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794479A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和旋涂介电层；回蚀刻所述旋涂介电层，直至完全露出位于所述伪栅极结构顶部的接触孔蚀刻停止层；执行一后蚀刻处理过程，在所述旋涂介电层的表面形成一氧化层；去除位于所述伪栅极结构顶部的接触孔蚀刻停止层；同时蚀刻所述NMOS区和所述PMOS区的伪栅极结构中的牺牲栅电极层以形成栅沟槽；形成含硅底部抗反射涂层以完全填充所述栅沟槽；分别形成所述PMOS区和所述NMOS区的金属栅极结构。根据本发明，可以最大程度地减小金属栅极结构的形成过程所引起的栅极高度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括： 提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极结构； 在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和旋涂介电层，以覆盖所述伪栅极结构； 回蚀刻所述旋涂介电层，直至完全露出位于所述伪栅极结构顶部的接触孔蚀刻停止层； 执行一后蚀刻处理过程，在所述旋涂介电层的表面形成一氧化层； 去除位于所述伪栅极结构顶部的接触孔蚀刻停止层； 同时蚀刻所述NMOS区和所述PMOS区的伪栅极结构中的牺牲栅电极层以形成栅沟槽； 在所述半导体衬底上形成含硅底部抗反射涂层，以完全填充所述栅沟槽； 去除位于所述PMOS区的含硅底部抗反射涂层，在所述PMOS区形成第一金属栅极结构； 去除位于所述NMOS区的含硅底部抗反射涂层，在所述NMOS区形成第二金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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