[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210422427.1 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794498A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，所述衬底包括基底、氧化物层以及半导体材料层；在所述衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有多个开口；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体材料层，以形成Σ形凹槽；在所述凹槽中外延生长SiGe层，以形成鳍片；去除所述硬掩膜层，以露出所述半导体材料层；蚀刻所述半导体材料层，以露出所述鳍片。本发明所述方法首先在本发明中在SOI衬底上形成硬掩膜层后，控制蚀刻条件形成Σ形凹槽，然后外延生长SiGe层，得到菱形的鳍片，最后形成周围栅极（gate all around,GAA），使得鳍片下表面完全用作沟道区，可以进一步在增大工作电流，进一步提高器件的集成度和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括基底、氧化物层以及半导体材料层；在所述衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有多个开口；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体材料层，以形成Σ形凹槽；在所述凹槽中外延生长SiGe层，以形成鳍片；去除所述硬掩膜层，以露出所述半导体材料层；蚀刻所述半导体材料层，以露出所述鳍片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210422427.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
