[发明专利]MTP存储单元在审
| 申请号： | 201210422438.X | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794246A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MTP存储单元，包括：选择晶体管N1、编程电容C1和擦除电容C2；选择晶体管N1的漏端作为MTP存储单元的位线BL,选择晶体管N1源端作为整个MTP存储单元的源端SG；编程电容C1的上极板和选择晶体管N1栅极相连，为同一个浮栅；编程电容C1的下极板是整个MTP存储单元的字线WL；擦除电容C2的上极板作为MTP的擦除端EG；擦除电容C2的下极板与编程电容C1的上极板相连，为同一个浮栅。本发明针对传统MTP存储单元进行了改进和优化，能嵌入普通的逻辑工艺，不需增加额外掩膜及工艺，其应用范围更广，在各种数字及数模混合工艺平台上都能有较高的编程效率，与现有MTP存储单元相比具有更高编程效率，更高擦除性能和可靠性，能缩小MTP存储单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | mtp 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种MTP存储单元，其特征是,包括：选择晶体管（N1）、编程电容（C1）和擦除电容（C2）；选择晶体管(N1)的漏端作为MTP存储单元的位线(BL),选择晶体管(N1)源端作为整个MTP存储单元的源端（SG）；编程电容（C1）的上极板和选择晶体管（N1）栅极相连，为同一个浮栅；编程电容（C1）的下极板是整个MTP存储单元的字线(WL)；擦除电容（C2）的上极板作为MTP存储单元的擦除端(EG)；擦除电容（C2）的下极板与编程电容（C1）的上极板相连，为同一个浮栅。
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