[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210424017.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794639B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王者伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底以及环绕该衬底边缘设置的场限环，所述场限环包括场限环一、场限环二和场限环三，所述场限环二位于所述场限环一和场限环三之间，所述场限环一和场限环二之间的间距为19~21μm，所述场限环二和场限环三之间的间距为20~23μm。本发明通过改变场限环一、场限环二和场限环三之间的间距，提高了半导体器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底以及环绕该衬底边缘设置的场限环，所述场限环包括场限环一、场限环二和场限环三，所述场限环二位于所述场限环一和场限环三之间，其特征在于：所述半导体器件还包括截止环，所述场限环三位于所述截止环和场限环二之间，GTE环的宽度为12μm，场限环一、场限环二和场限环三的宽度均为5μm，截止环的宽度为7μm，GTE环与场限环一的间距为20μm，场限环一与场限环二的间距为21μm，场限环二与场限环三的间距为23μm，场限环三与截止环的间距为28μm。
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