[发明专利]具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210424567.2 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103426858A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈硕懋;叶德强;叶炅翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装件包括在该封装件的第一区中形成的芯片和在邻近第一区的该封装件的第二区中形成的模塑料。在芯片和模塑料上形成第一聚合物层，在第一聚合物层上形成第二聚合物层，在第一和第二聚合物层之间形成多个互连结构。在第二聚合物层上形成金属绝缘体金属(MIM)电容器并将其电连接至多个互连结构的至少一个。在多个互连结构的至少一个的上方形成金属凸块并将其电连接至多个互连结构的至少一个。本发明提供具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 绝缘体 电容器 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种封装件，包括：芯片，形成在所述封装件的第一区中；模塑料，形成在邻近所述第一区的所述封装件的第二区中；第一聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上；第二聚合物层，形成在所述第一聚合物层上；多个互连结构，形成在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间；金属绝缘体金属(MIM)电容器，形成在所述第二聚合物层上并电连接至所述多个互连结构中的至少一个；以及金属凸块，形成在所述多个互连结构中的至少一个的上方并电连接至所述多个互连结构中的至少一个。
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