[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中所述晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层表面的栅电极，所述栅电极具有中间区域和位于中间区域两侧的边缘区域，所述栅电极的中间区域内掺杂有功函数调节离子，使栅电极的中间区域的功函数与栅电极的边缘区域的功函数不同。在固定的栅电压下，提高了沟道区载流子的密度，提高了晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅介质材料层、多晶硅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露多晶硅层表面的第一开口；以所述硬掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述多晶硅层和栅介质材料层，形成栅介质层和位于栅介质表面的栅电极；在所述栅介质层、栅电极和硬掩膜层的两侧侧壁上形成第一侧墙；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙，介质层的表面与硬掩膜层的表面平齐；去除所述硬掩膜层，形成第二开口；在所述第二开口的两侧侧壁形成第二侧墙；以所述第二侧墙为掩膜，对第二侧墙之间暴露的栅电极进行离子注入，使栅电极的中间区域的功函数与栅电极的边缘区域的功函数不相同。