[发明专利]快闪存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 201210425017.2 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794504A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种快闪存储器及其制作方法。其中一种快闪存储器的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、在第一介质层上的浮栅、在浮栅上的第二介质层、在第二介质层上的控制栅；在所述存储结构的侧壁形成保护层；形成保护层后，在所述存储结构周围形成侧墙；所述保护层用于防止所述存储结构的侧壁与形成侧墙的物质发生反应。采用本发明的快闪存储器的制作方法提高了快闪存储器的读、写和擦除效率能力。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、在第一介质层上的浮栅、在浮栅上的第二介质层、在第二介质层上的控制栅；在所述存储结构的侧壁形成保护层；形成保护层后，在所述存储结构周围形成侧墙；所述保护层用于防止所述存储结构的侧壁与形成侧墙的物质发生反应。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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