[发明专利]铟锡氧化物靶材的制作方法有效

专利信息
申请号: 201210426065.3 申请日: 2012-10-30
公开(公告)号: CN103787651A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料有限公司
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622;C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 315400 浙江省宁波市余姚*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种铟锡氧化物靶材的制作方法,包括:提供ITO粉料;采用静压工艺将ITO粉料预压成型,形成第一ITO靶材坯料;将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空;采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理,形成第二ITO靶材坯料;去除所述第一包套后,将第二ITO靶材坯料放入第二包套,并抽真空;采用热等静压工艺对所述第二包套进行处理,形成第三ITO靶材坯料;去除所述第二包套后,对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。本发明突破了ITO粉料不易成型,易分解,会被还原等特点带来的加工ITO靶材的局限,能形成具有优良的致密度、内部组织结构的均匀性的ITO靶材。
搜索关键词: 氧化物 制作方法
【主权项】:
一种铟锡氧化物靶材的制作方法,其特征在于,包括:提供ITO粉料;采用静压工艺将ITO粉料预压成型,形成第一ITO靶材坯料;将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空;采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理,形成第二ITO靶材坯料;去除所述第一包套后,将第二ITO靶材坯料放入第二包套,并抽真空;采用热等静压工艺对第二包套内的第二ITO靶材坯料进行处理,形成第三ITO靶材坯料;去除所述第二包套后,对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。
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