[发明专利]CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210426642.9 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102898126A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 陈仁政;杨喻钦 | 申请（专利权）人： | 北京元六鸿远电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/22 | 分类号： | C04B35/22;C04B35/63 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀丽 |
| 地址： | 100070 北京市丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术领域，具体包括：85-98%重量的含有CaTiO3以及钡和钴掺杂的CaMgSi2O6微波介质材料和2-15%重量的LMZBS助熔剂。本发明所要解决的技术问题是提供一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法，有效提高品质因素，使得陶瓷能够在较低温度烧结下，保持良好介电性能的同时，拥有稳定的温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | camgsi sub 体系 微波 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CaMgSi2O6体系微波介质材料，其特征在于，包括：85‑98%重量的含有CaTiO3以及钡和钴掺杂的CaMgSi2O6微波介质材料和2‑15%重量的LMZBS助熔剂。
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