[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210427387.X | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103311289A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 崔赫洵;金钟燮;申在光;吴在浚;河种奉;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMT的方法，该HEMT的封装是容易的，该HEMT包括：缓冲层；沟道层，形成在缓冲层上并包括二维电子气（2DEG）沟道；沟道提供层，形成在沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在沟道提供层上；源极接触垫，连接到源电极；漏极接触垫，连接到漏电极；以及栅极接触垫，连接到栅电极，其中源极接触垫、漏极接触垫和栅极接触垫中的一个或两个设置在缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，包括：缓冲层；沟道层，形成在所述缓冲层上并包括二维电子气沟道；沟道提供层，形成在所述沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在所述沟道提供层上；源极接触垫，连接到所述源电极；漏极接触垫，连接到所述漏电极；以及栅极接触垫，连接到所述栅电极，其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫中的一个或两个设置在所述缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。
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