[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210427775.8 | 申请日： | 2009-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102931154A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 牟田忠义 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。该半导体装置包括：在半导体基板的前表面上形成的电极焊盘；在与电极焊盘的位置对应的半导体基板的后表面上具有开口部分并且贯穿半导体基板的通孔；至少在通孔的内壁上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上且至少在通孔的内壁的开口部分中形成的粘接稳固层；和在包括所述粘接稳固层之上的区域的通孔的内壁以及通孔的底部上形成的导电层，其中，所述电极焊盘与所述导电层接触，以及其中，所述粘接稳固层由钛、钨或铬形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置包括：在半导体基板的前表面上形成的电极焊盘；在与电极焊盘的位置对应的半导体基板的后表面上具有开口部分并且贯穿半导体基板的通孔；至少在通孔的内壁上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上且至少在通孔的内壁的开口部分中形成的粘接稳固层；和在包括所述粘接稳固层之上的区域的通孔的内壁以及通孔的底部上形成的导电层，其中，所述电极焊盘与所述导电层接触，以及其中，所述粘接稳固层由钛、钨或铬形成。
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