[发明专利]一种准单晶硅的清洗方法有效
申请号: | 201210427876.5 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103785640A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 李静;王昌贤;王雪芹 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | B08B3/04 | 分类号: | B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵;李玉秋 |
地址: | 314117 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种准单晶硅的清洗方法,其特征在于,包括:a)将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗;b)将步骤a)预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗;c)将步骤b)超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶;d)将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。本发明提供的准单晶硅的清洗方法,使清除表面有机物,且不影响制绒效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种准单晶硅的清洗方法,其特征在于,包括:a)将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗;b)将步骤a)预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗;c)将步骤b)超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶;d)将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。
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