[发明专利]钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210428142.9 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102910598A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 崔啟良;丛日东;祝洪洋;武晓鑫;贾岩;谢晓君;尹广超;张健;石蕊 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072;H01F1/40 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法属于半导体自旋电子器件材料的技术领域。钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管呈六边形柱状结构，外表面光滑，内部有凹凸不平的褶皱，形成多孔结构。制备方法是以Al粉和Y粉为原料，以氮气为反应气体，在直流电弧等离子体放电装置中进行制备；将反应室抽真空，充入反应气体开始放电；放电反应3~5min后切断电源；静置再氩气钝化，在钨杆的阴极沉积区收集毛绒状块体。本发明所制备的样品产量大、纯度高、晶形完整、形貌尺寸均一，并且制备时间短、耗能少、成本低；制备过程中不需要任何基片、模板、催化剂，对环境友好、可重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氮化 铝稀磁 半导体 阵列 微米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管，其特征是，微米管呈六边形柱状结构，管的外表面光滑，内部有凹凸不平的褶皱，形成多孔结构；微米管平均直径为20μm，平均长度为100μm。
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