[发明专利]FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210428204.6 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102945891A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 卢森锴;喻亮;姜艳丽;卢炳雄;韦永森;黄平;陈壁滔;彭德 | 申请（专利权）人： | 桂林师范高等专科学校 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 周小芹 |
| 地址： | 541001 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜的制备方法，涉及一种光电领域复合薄膜的制备方法，包括步骤：利用钛酸四丁酯水解得到TiO2溶胶；利用AgNO3制备Ag溶胶；将TiO2溶胶和Ag溶胶混合得到掺Ag的TiO2溶胶；制备掺Ag的先驱体Ag/TiO2薄膜；制备含铁的溶胶，再在Ag/TiO2薄膜上覆盖上含铁的溶胶，得到含铁的Ag/TiO2薄膜前驱体；硫化；退火处理，制得FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜。本发明省去了合成Ag2S的工艺过程，降低成本；FeS2/Ag2S/TiO2三相界面结合工艺能够得到有效保证，复合膜与基片之间附着牢固可靠；本发明的光电转换效率可提高3%～4%以上，易于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | fes sub ag tio 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1. 利用钛酸四丁酯水解得到TiO2溶胶；S2. 利用AgNO3制备Ag溶胶；S3. 将TiO2溶胶和Ag溶胶混合得到掺Ag的TiO2溶胶；S4. 制备掺Ag的先驱体Ag/TiO2薄膜；S5. 利用溶胶‑凝胶法制备含铁的溶胶，再利用浸渍‑提拉法在Ag/TiO2薄膜上覆盖上含铁的溶胶，得到含铁的Ag/TiO2前驱体薄膜；S6. 硫化，得到FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜；S7. 退火处理，制得FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜成品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林师范高等专科学校，未经桂林师范高等专科学校许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210428204.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
- 纳米TiO<sub>2</sub>复合水处理材料及其制备方法
- 具有TiO<sub>2</sub>致密层的光阳极的制备方法
- 一种TiO<sub>2</sub>纳米颗粒/TiO<sub>2</sub>纳米管阵列及其应用
- 基于TiO2的擦洗颗粒，以及制备和使用这样的基于TiO2的擦洗颗粒的方法
- 一种碳包覆的TiO<sub>2</sub>材料及其制备方法
- 一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiO<sub>x</sub>结构
- 应用TiO<sub>2</sub>光触媒载体净水装置及TiO<sub>2</sub>光触媒载体的制备方法
- 一种片状硅石/纳米TiO2复合材料及其制备方法
- TiO<base:Sub>2
- TiO
