[发明专利]局域互连结构的形成方法

摘要

一种局域互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有浅沟道隔离结构、被浅沟道隔离结构包围的位于半导体衬底上方的第一金属栅结构，与第一金属栅结构齐平的第一介质层；在所述第一介质层表面形成覆盖所述第一金属栅结构的第二介质层和第三介质层；暴露出源极和漏极的表面，形成第一接触孔；在源极和漏极表面形成金属硅化物层；在所述第一接触孔内填充第四介质材料，形成第四介质层；暴露出第一金属栅极的表面，形成第二接触孔；去除第四介质层；向所述第一接触孔和第二接触孔内填充金属材料，形成插塞。所述局域互连结构的形成方法能够简化工艺步骤，保护金属栅极。

主权项

一种局域互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有浅沟道隔离结构、位于半导体衬底上方，被浅沟道隔离结构包围的第一金属栅结构、位于第一金属栅结构两侧的半导体衬底内的源极和漏极，所述第一金属栅结构包括第一金属栅极和第一栅介质层，所述半导体衬底表面还具有与第一金属栅结构表面齐平的第一介质层；在所述第一介质层表面形成覆盖所述第一金属栅结构的第二介质层和位于第二介质层表面的第三介质层；刻蚀位于源极和漏极正上方的第三介质层、第二介质层和第一介质层，暴露出源极和漏极的表面，形成第一接触孔；在源极和漏极表面形成金属硅化物层；在所述第一接触孔内填充第四介质材料，所述第四介质材料填充满第一接触孔并覆盖第三介质层表面形成第四介质层；刻蚀位于第一金属栅极正上方的第四介质层、第三介质层和第二介质层，暴露出第一金属栅极的表面，形成第二接触孔；去除第四介质层；向所述第一接触孔和第二接触孔内填充金属材料，并对所述金属材料平坦化，形成插塞。