[发明专利]一种微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法无效
| 申请号： | 201210429496.5 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102899513A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 袁斌;郑佩琪;戴维杜南 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/00 | 分类号： | C22C1/00;C22C30/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，包括步骤：（1）将微米级纯镍管清洗干净后烘干；（2）在纯镍管外表面镀上一层纯锰，再垂直放入管式炉中，在保护气体氛围下进行加热，随炉冷却后取出；（3）在样品的管中心充满液态纯镓，再垂直放入管式炉中，在保护气体氛围下进行加热，随炉冷却，得到微米级的NiMnGa磁性记忆合金管。本发明工艺简单、可靠、可批量生产，成分可以通过改变纯镍管壁厚和锰镀层的厚度来调控NiMnGa合金管的成分，而且无论是管的横截面还是纵截面的成分分布都是均匀，还可组装成任意尺寸和形状的部件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 nimnga 磁性 记忆 合金管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将微米级纯镍管清洗干净后烘干；（2）在纯镍管的外表面镀上一层纯锰；（3）在纯镍管的空心部分充满液态纯镓，然后垂直放入管式炉中，在保护气体氛围下进行加热，随炉冷却，得到微米级NiMnGa磁性记忆合金管。
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