[发明专利]发光元件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210429640.5 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103531686A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 吴裕朝;刘艳;吴冠伟;王瑞庆;陈浩明 | 申请（专利权）人： | 东莞市正光光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京格罗巴尔知识产权代理事务所(普通合伙) 11406 | 代理人： | 方志炜 |
| 地址： | 广东省东莞市虎门*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及发光元件技术领域，具体公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包括：基板；第一导电型半导体层，位于所述基板上；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及负电极，至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。本发明实施例提供的发光二极管及其制作方法，通过把负电极形成于发光元件的侧面上，有效减少了传统发光元件的遮光面积，并且提高了电流散布效率；同时由于形成于侧面的负电极所需蚀刻掉的发光层较少，从而增加了发光区域，改善了发光元件的发光品质。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其特征在于，包括：基板；第一导电型半导体层，位于所述基板上；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及负电极，至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。
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