[发明专利]一种金属栅电极的制造方法

摘要

本发明公开了一种金属栅电极的制造方法，包括在衬底上形成多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧的侧墙，以及源漏区；在以上步骤形成的结构表面形成薄氧化层及牺牲层，并回刻牺牲层及薄氧化层以露出多晶硅栅极的上表面，所述牺牲层的牺牲介质为有机化合物；沉积金属镍层，并进行第一次退火；以相同的腐蚀工艺同时去除未反应的金属镍层及牺牲层；进行第二次退火，形成全硅化物金属栅电极；以及去除薄氧化层。本发明免去化学机械研磨步骤，能够有效降低工艺复杂度，解决刻蚀困难问题，使得制造过程更加简单方便。

主权项

一种金属栅电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的侧墙，以及源漏区；在上述步骤形成的结构表面形成薄氧化层；在所述薄氧化层上淀积牺牲介质以形成牺牲层，回刻所述牺牲层及所述薄氧化层以露出所述多晶硅栅极的上表面，其中所述牺牲介质为有机化合物；沉积金属镍层，并进行第一次退火；通过腐蚀工艺同时去除未反应的所述金属镍层及所述牺牲层；进行第二次退火，形成全硅化物金属栅电极；以及去除所述薄氧化层。