[发明专利]等离子反应器及制作半导体基片的方法

摘要

本发明提供一种电感耦合等离子反应器，其中，包括封闭壳体，其中所述封闭壳体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述封闭壳体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率穿过所述绝缘材料窗进入到所述封闭壳体中。多个气体注入器均匀分布在所述基片支撑装置上方，以提供处理气体到所述封闭壳体。环形挡板，设置于所述封闭壳体内以及所述基片支撑装置的上方和所述多个气体注入器的下方，以引导所述处理气体的流动。

主权项

一种等离子反应器，包括：封闭壳体，其包括顶板，所述顶板构成一绝缘材料窗；基片支撑装置，设置于所述封闭壳体内的绝缘材料窗下方；射频功率发射装置，设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述封闭壳体内；气体注入器，用于向所述封闭壳体内供应等离子体处理气体，挡板，设置于所述封闭壳体侧壁以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方，所述挡板与所述绝缘材料窗之间设置一空间，所述等离子体处理气体在所述空间内解离形成等离子体；所述的挡板包括一个设有中间开口的隔板和一个沿所述隔板中间开口向所述顶板延伸的侧壁，所述侧壁上设有若干个径向分布不均匀的孔或者所述侧壁在不同的径向位置具有不同的高度，所述侧壁引导所述等离子体及所述等离子体处理气体从所述空间内扩散到所述中间开口，经所述中间开口向下扩散到所述基片支撑装置上方，以径向不均匀地限制等离子体及等离子体处理气体的流动。