[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210432273.4 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103035724A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。本发明射频横向双扩散场效应晶体管采用多晶硅法拉第屏蔽层的结构，与传统的制备法拉第屏蔽层工艺相比较，该制备工艺简单，只是增加了一次热氧化过程，减少了一次法拉第屏蔽层下方氧化层淀积与金属淀积和刻蚀过程，此方法制备的法拉第屏蔽层下方的氧化层的质量相对于普通的法拉第屏蔽层通过淀积的方式生长的要好，从而增强了器件的耐用性；并且本发明的器件相对于普通的金属法拉第屏蔽层器件，具有相同的击穿电压、导通电阻等特性。同时此方法所制备的台阶栅结构，也能起到抑制热载流子注入(HCI)的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，其特征在于：所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。
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