[发明专利]一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其属于CMOS半导体器件工艺技术领域，步骤包括：在生长衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；对衬底氮化硅层进行去除；在衬底氮化硅层去除后量测衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一个目标值，目标值为理想状况下衬底氧化硅层的厚度取值；对每个批次的衬底氧化硅层定一个修正值，修正值的取值范围为前值和目标值的差值范围；然后按照修正值对衬底氧化硅层进行修正蚀刻；上述技术方案的有益效果是：改善了衬底氧化层厚度不均匀的问题，节省了半导体工艺的制作成本，缩短了产品的生产制造时间。

主权项

一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，所述浅沟道绝缘层的制程中包括形成衬底氧化硅层、衬底氮化硅层和硅衬底，所述衬底氮化硅层位于所述衬底氧化硅层上面，所述衬底氧化硅层位于所述硅衬底上面；其特征在于，步骤包括：步骤a，在生长所述衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；步骤b，对所述衬底氮化硅层进行去除；步骤c，在所述衬底氮化硅层去除后量测所述衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一个目标值，所述目标值为理想状况下所述衬底氧化硅层的厚度取值；步骤d，对每个批次的所述衬底氧化硅层定一个修正值，所述修正值的取值范围为所述前值和所述目标值的差值范围；然后按照所述修正值对所述衬底氧化硅层进行修正蚀刻。