[发明专利]一种寄生效应低品质因数高的差分开关电容结构有效
| 申请号： | 201210433084.9 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103001618A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郭斌 | 申请（专利权）人： | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构。相对于传统差分开关电容结构，本差分开关电容结构主要进行了以下两点改进：第一，去掉了PMOS管P1和P2，消除了二者引入的寄生效应；第二，在数字信号D的输入端和开关射频管的漏极之间串一个反相器和电阻，降低开关管的寄生效应。改进后的差分开关电容结构具有寄生效应低、品质因数高以及调谐范围宽的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 效应 品质因数 开关 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构，其特征在于：它包括左右两条开关电容支路，输入信号为数字控制信号D，输出信号为P和N。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙景嘉微电子股份有限公司，未经长沙景嘉微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210433084.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
