[发明专利]一种促进冬虫夏草菌产分生孢子的方法有效

专利信息
申请号: 201210433385.1 申请日: 2012-11-02
公开(公告)号: CN103782794A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 姚一建;任蜀豫 申请(专利权)人: 中国科学院微生物研究所
主分类号: A01G1/04 分类号: A01G1/04
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;任凤华
地址: 100101 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种促进冬虫夏草菌产分生孢子的方法。该促进冬虫夏草菌产分生孢子的方法,包括将冬虫夏草菌在营养刺激和环境刺激的条件下进行培养的步骤;所述步骤包括:1)将冬虫夏草菌在富营养固体培养基上在黑暗条件下培养,得到菌丝体;2)将所述步骤1)的菌丝体转移到次营养固体培养基上进行下述至少一种刺激培养,得到分生孢子:冷激培养、热激培养、温度周期刺激培养、光周期刺激培养、温度光周期刺激培养和氧化刺激培养;所述富营养固体培养基的氮源含量高于所述次营养固体培养基,所述冬虫夏草菌在富营养固体培养基中的菌落生长速率大于所述冬虫夏草菌在次营养固体培养基中的菌落生长速率。
搜索关键词: 一种 促进 冬虫夏草 分生孢子 方法
【主权项】:
促进冬虫夏草菌产分生孢子的方法,包括将冬虫夏草菌在营养刺激和环境刺激的条件下进行培养的步骤;所述步骤包括:1)将冬虫夏草菌在富营养固体培养基上在黑暗条件下培养,得到菌丝体;2)将所述步骤1)的菌丝体转移到次营养固体培养基上进行下述至少一种刺激培养,得到分生孢子:冷激培养、热激培养、温度周期刺激培养、光周期刺激培养、温度光周期刺激培养和氧化刺激培养;所述富营养固体培养基的氮源含量高于所述次营养固体培养基;所述冷激培养是将所述菌丝体先置于所述菌丝体能够存活但不利于生长的低温中黑暗培养,再置于适宜所述菌丝体生长的温度中黑暗培养至产生分生孢子;所述热激培养是将所述菌丝体先置于所述菌丝体能够存活但不利于生长的高温中黑暗培养,再置于所述适宜所述菌丝体生长的温度中黑暗培养至产生分生孢子;所述温度周期刺激培养是将所述菌丝体置于所述适宜所述菌丝体生长的温度和所述高温交替的环境中黑暗培养至产生分生孢子,或将所述菌丝体置于所述适宜所述菌丝体生长的温度和所述低温交替的环境中黑暗培养至产生分生孢子;所述光周期刺激培养是将所述菌丝体置于所述适宜所述菌丝体生长的温度在每天既有光照又有黑暗的条件下培养至产生分生孢子;所述温度光周期刺激培养是将所述菌丝体置于所述适宜所述菌丝体生长的温度和所述高温交替的环境中在每天既有光照又有黑暗的条件下培养至产生分生孢子,或将所述菌丝体置于所述适宜所述菌丝体生长的温度和低温交替的环境中在每天既有光照又有黑暗的条件下培养至产生分生孢子;所述氧化刺激培养是将所述菌丝体先置于具有氧化胁迫的环境中培养再置于所述适宜所述菌丝体生长的温度中黑暗培养至产生分生孢子。
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