[发明专利]晶片加工方法

摘要

本发明提供一种晶片加工方法，在不使晶片破损的前提下比以往时间短且廉价地将晶片薄化至预定厚度。其为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于具备：层叠晶片形成步骤，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；倒角部除去步骤，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及薄化步骤，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削以将晶片薄化至预定厚度。

主权项

一种晶片加工方法，所述晶片加工方法为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于，所述晶片加工方法具备：层叠晶片形成步骤，在该层叠晶片形成步骤中，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；倒角部除去步骤，在该倒角部除去步骤中，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及薄化步骤，在该薄化步骤中，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削以将晶片薄化至预定厚度。