[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法有效
| 申请号： | 201210434538.4 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103035512A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/00;G03F1/80 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，1)在需要制作钝化层的硅片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤；2)在非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂和烘烤；3)用具有钝化层图形的掩模版进行浅层曝光，在光刻胶上形成钝化层图形的潜影；4)用硅烷化剂对上述光刻胶进行硅烷基化处理，将钝化层图形的潜影转化成硅烷基化图形；5)以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺，形成钝化层图形；6)用光刻胶剥离液除去光刻胶以及硅烷基化图形；7)将图形化的非感光性聚酰亚胺进行固化，获得所需的非感光性聚酰亚胺钝化层。本发明解决了传统工艺中顶层金属铝线被显影液腐蚀以及非感光性聚酰亚胺的形貌差等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 感光性 聚酰亚胺 钝化 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在需要制作钝化层的硅片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤；（2）在非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂和烘烤；（3）用具有钝化层图形的掩模版进行浅层曝光，在光刻胶上形成钝化层图形的潜影；（4）用硅烷化剂对上述具有钝化层图形潜影的光刻胶进行硅烷基化处理，将钝化层图形的潜影转化成硅烷基化图形；（5）以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺，形成钝化层图形；（6）用光刻胶剥离液除去光刻胶以及硅烷基化图形；（7）将图形化的非感光性聚酰亚胺进行固化，获得所需的非感光性聚酰亚胺钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
