[发明专利]多晶硅结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210434969.0 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103794485A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张彬;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种多晶硅结构的形成方法，使用含氢的气体对所述含氮的硬掩膜层进行退火工艺处理，减少所述含氮的硬掩膜层中游离氮的含量，从而防止游离氮污染后续形成的光阻层，避免了所述光阻层氮中毒，从而确保以所述光阻层为掩膜的刻蚀工艺能够对所述多晶硅层进行按要求的刻蚀，最终形成的多晶硅结构不存在桥连现象。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层；在所述多晶硅层上形成含氮的硬掩膜层；使用含氢的气体对所述含氮的硬掩膜层进行退火工艺处理；在所述含氮的硬掩膜层上形成图案化的光阻层；以所述图案化的光阻层为掩膜，依次刻蚀所述含氮的硬掩膜层和多晶硅层；去除所述图案化的光阻层和含氮的硬掩膜层，形成多晶硅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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