[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种应力半导体制造方法。在本发明的方法中，首先在NMOS区域沉积张应力层以在PMOS区域沉积压应力层，接着全面沉积压应力保护层；通过第一次CMP工艺，打开虚设栅极，由于在张应力层和压应力层之上剩余了部分厚度的压应力保护层，并且压应力保护层在湿法腐蚀液中的腐蚀速率很小，因此，张应力层和压应力层被其上的压应力保护层保护而在腐蚀虚设栅极绝缘层时不会受到损伤，克服了现有技术中的缺陷；接着，形成栅极凹槽后，可选地可以进行第二次CMP工艺以去除剩余的压应力保护层，随后完成高K栅绝缘层和金属栅极制造，实现了后栅工艺与双应变应力层的工艺集成。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOS区域和PMOS区域；形成NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管包括虚设栅极和虚设栅极绝缘层，其中所述虚设栅极的上表面距离所述半导体衬底的表面的高度为h0；在所述NMOS晶体管之上沉积张应力层，所述张应力层的厚度为h1，其中，h0＞h1；在所述PMOS晶体管之上沉积压应力层，所述压应力层的厚度为h2，其中，h0＞h2；全面性沉积压应力保护层，所述压应力保护层的材料为氮化硅；进行第一次CMP工艺，暴露所述虚设栅极的上表面，并在所述张应力层和所述压应力层上方保留部分所述压应力保护层，保留的部分所述压应力保护层的厚度为5‑20nm；依次去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，形成栅极凹槽；在所述栅极凹槽中，分别形成所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的高K栅绝缘层和金属栅极。