[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示领域，能够减少掩模板的使用数量，从而提高效率，降低成本。所述阵列基板制造方法，包括：在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、TFT沟道、数据线、源极和漏极；形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在第三区域的漏极上，第一区域的第一电极上形成过孔；依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接漏极及像素电极的连接线。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a、在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、TFT沟道、数据线、源极和漏极，其中，对应第一电极所在的第一区域刻蚀至露出第一透明导电薄膜，对应TFT沟道所在的第二区域刻蚀至露出所述半导体薄膜，对应数据线、源极和漏极所在的第三区域不进行刻蚀，除上述图形之外的第四区域刻蚀掉全部膜层，露出所述基板；b、形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在所述第三区域的所述漏极上和所述第一区域的所述第一电极上形成过孔；c、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接所述漏极及像素电极的连接线，其中，对应所述栅线、栅极和公共电极线所在的E区域不进行刻蚀，其中所述栅极位于TFT沟道所在的第三区域之上，对应所述第二电极、连接线所在的F区域刻蚀掉所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，除所述E、F区域之外的G区域，刻蚀掉所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜。