[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括形成于半导体衬底上的光电二极管区域，还包括浅槽隔离区域，形成于所述光电二极管区域中；深槽隔离区域，形成于所述光电二极管区域中；其中，所述浅槽隔离区域与所述深槽隔离区域填充透光介质；光电二极管及光电二极管耗尽区，形成于所述光电二极管区域中；以及层间介质层，金属互连线及微透镜，形成于所述半导体衬底上方。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明省略了滤色层，不仅提高了CMOS图像传感器的灵敏度，同时也降低了加工成本。

主权项

一种CMOS图像传感器，包括形成于半导体衬底上的光电二极管区域，其特征在于，还包括：浅槽隔离区域，形成于每一所述光电二极管区域中；深槽隔离区域，形成于每一所述光电二极管区域中；其中，所述浅槽隔离区域与所述深槽隔离区域填充透光介质；光电二极管及光电二极管耗尽区，形成于每一所述光电二极管区域中；以及层间介质层，金属互连线及微透镜，形成于所述半导体衬底上方，其中一个所述微透镜对应于一个所述光电二极管区域；其中，每一所述光电二极管区域中的所述浅槽隔离区域和深槽隔离区域使得所述光电二极管区域具有三个感光区。