[发明专利]一种原生多晶碳头料的清洗方法

摘要

本发明公开了一种原生多晶碳头料的清洗方法，包括以下步骤：在槽中配置硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，将多晶碳头料放入，浸泡；捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次；将多晶碳头放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗；在高锰酸钾溶液中浸泡，然后用去离子水冲洗2-3次；将多晶碳头料进行超声处理；捞出多晶碳头料，进行烘干，完成清洗过程。本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，采用化学清洗的方法。完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。

主权项

一种原生多晶碳头料的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在槽中配置重量比为3‑4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，将多晶碳头料放入混合溶液，浸泡12‑14小时；（2）捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2‑3次；（3）将多晶碳头放入质量比为10‑15:0.8‑1.2：0.2‑0.3的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1‑3分钟，然后用去离子水冲洗2‑3次；（4）在浓度为0.3‑0.5%的高锰酸钾溶液中浸泡1‑2小时，然后用去离子水冲洗2‑3次；（5）将多晶碳头料进行超声处理；（6）捞出多晶碳头料，进行烘干，完成清洗过程。