[发明专利]用于承载晶片的静电卡盘以及等离子体加工设备有效
申请号: | 201210439837.7 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103811393A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 武学伟;王厚工 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种用于承载晶片的静电卡盘以及等离子体加工设备,包括用于承载晶片的卡盘本体,在卡盘本体内设置有沿其厚度方向贯穿的热传导气体通孔,热传导气体通过热传导气体通孔到达晶片与卡盘本体之间的间隙内;而且,在热传导气体通孔内设有用于测量晶片温度的热电偶,且热电偶的测量端与晶片借助热传导气体在热传导气体通孔内的压力向热电偶的测量端施加向上的作用力实现接触。本发明提供的静电卡盘不仅可以在正常工艺过程中直接检测晶片的温度,而且结构简单、容易加工且制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 用于 承载 晶片 静电 卡盘 以及 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种用于承载晶片的静电卡盘,包括用于承载晶片的卡盘本体,在所述卡盘本体内设有沿所述卡盘本体厚度方向贯穿的热传导气体通孔,热传导气体通过所述热传导气体通孔到达所述晶片与所述卡盘本体之间的间隙内;其特征在于,在所述热传导气体通孔内设有用于测量所述晶片温度的热电偶,且所述热电偶的测量端与所述晶片的接触是借助所述热传导气体在所述热传导气体通孔内的压力向所述热电偶的测量端施加向上的作用力实现的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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