[发明专利]一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法有效
| 申请号： | 201210440955.X | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102931229A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 董逊;许晓军;章咏梅;彭大青;张东国;李亮;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法，所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟道层、AIN插入层和AlxGa1-xN势垒层，其中0.1≤x≤0.9。本发明的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的室温二维电子气迁移率明显提高，电学性质优异；其生产方法具有简单易行、重复性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan gan ingan 双异质结 材料 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料，其特征在于：所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟道层、AIN插入层和AlxGa1‑xN势垒层，其中0.1≤x≤0.9。
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