[发明专利]功率半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210441513.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103107100A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 百瀬文彦;西村芳孝 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够实现高温环境下绝缘耐压和可靠性的提高的功率半导体器件的制造方法。通过组合氧等离子体表面处理工序（工序5）和硅胶注入前的预备加热工序（工序6），能够提高硅胶（9）（保护材料）与带导电图案的绝缘基板（1）及半导体芯片（2）的密合性，实现高温环境下功率半导体器件的绝缘耐压和可靠性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：接合在散热底座上的带导电图案的绝缘基板；接合在所述带导电图案的绝缘基板上的半导体芯片；收纳所述带导电图案的绝缘基板和所述半导体芯片并粘接在所述散热底座的树脂壳体；和填充于所述树脂壳体内的保护材料，所述功率半导体器件的制造方法的特征在于，包括：将半导体芯片接合在带导电图案的绝缘基板上的工序；将所述带导电图案的绝缘基板接合在散热底座的工序；将树脂壳体粘接在所述散热底座的工序；对所述带散热图案绝缘基板的表面和所述半导体芯片的表面实施氧等离子体表面处理的工序；对所述带散热图案绝缘基板和所述半导体芯片进行高温加热并除去湿气的工序；和将保护材料填充到树脂壳体内的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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