[发明专利]一种氧化铬薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210441646.4 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN103805960A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 李帅;何迪;刘晓鹏;于庆河;邱昊辰;王树茂;蒋利军 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘徐红
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种氧化铬薄膜的制备方法,采用金属有机化学气相沉积方法,包括如下步骤:采用氩气、氢气和氮气中一种或两种以上与水气的混合气体作为反应气体,将铬先驱体蒸气输运至沉积室,铬先驱体在所述反应气体作用下发生分解反应在衬底表面形成氧化铬薄膜,衬底副产物由反应气体载带排出反应室。采用该方法获得的氧化铬薄膜可完全排除薄膜中碳残留,薄膜表面平整、结构致密,膜基结合性能优异。
搜索关键词: 一种 氧化铬 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种氧化铬薄膜的制备方法,采用金属有机化学气相沉积方法,包括如下步骤:采用氩气、氢气和氮气中一种或两种以上与水气的混合气体作为反应气体,将铬先驱体蒸气输运至沉积室,铬先驱体在所述反应气体作用下发生分解反应在衬底表面形成氧化铬薄膜,衬底表面形成的副产物由反应气体载带出反应室。
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