[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201210444097.6 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915978A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构，包括：芯片，位于所述芯片第一表面的第一底部金属层；位于所述第一底部金属层上的第一柱状电极，所述第一柱状电极周围暴露出部分第一底部金属层；位于所述第一柱状电极表面的第一扩散阻挡层；位于所述第一扩散阻挡层上的第一焊球，所述第一焊球至少包裹在所述第一柱状电极顶部和侧壁的表面；与芯片的第一表面相对设置的封装基板，所述芯片倒装于所述封装基板上且位于所述芯片上的第一焊球与封装基板的焊接端子互连。由于所述第一焊球形成在所述第一柱状电极上，使得所述芯片和封装基板之间的间距变大，有利于后续形成封装材料时能完全填充满所述芯片和封装基板之间的间隙，避免影响芯片的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片具有第一表面和第二表面，位于所述芯片第一表面的第一底部金属层；位于所述第一底部金属层上的第一柱状电极，所述第一柱状电极周围暴露出部分第一底部金属层；位于所述第一柱状电极侧壁表面、顶部表面、第一柱状电极周围暴露出的第一底部金属层表面的第一扩散阻挡层；位于所述第一扩散阻挡层上的第一焊球，所述第一焊球至少包裹在所述第一柱状电极顶部和侧壁的表面；与芯片的第一表面相对设置的封装基板，所述封装基板具有焊接端子，所述焊接端子的位置与第一焊球的位置相对应，所述芯片倒装于所述封装基板上且位于所述芯片上的第一焊球与所述焊接端子互连。
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