[发明专利]用于对相变存储器单元编程的方法和装置有效
| 申请号： | 201210444235.0 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103137191A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | N·帕潘德里奥;A·塞巴斯蒂安;A·潘塔齐;C·波齐迪斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于对具有s＞2个可编程单元状态的相变存储器单元(10)编程的方法和装置。施加至少一个控制信号(VBL，VWL)以产生用于对单元(10)编程的编程脉冲。在编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(VBL，VWL)以根据待编程的单元状态对编程脉冲整形并且产生与用于对所述单元状态编程的相应编程轨迹(TA，TB，TC，TD)对应的多个编程脉冲波形中的所选编程脉冲波形。所选编程脉冲波形对应于包含待编程的单元状态的编程轨迹。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 单元 编程 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于对具有s＞2个可编程单元状态的相变存储器单元(10)编程的方法，所述方法包括：施加至少一个控制信号(VBL，VWL)以产生用于对所述单元(10)编程的编程脉冲；并且在所述编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(VBL，VWL)以根据待编程的所述单元状态对所述编程脉冲整形并且产生与用于对所述单元状态编程的相应编程轨迹(TA，TB，TC，TD)对应的多个编程脉冲波形中的所选编程脉冲波形；其中所选编程脉冲波形对应于包含待编程的所述单元状态的编程轨迹。
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