[发明专利]芯片封装方法有效
申请号: | 201210444530.6 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN102931101A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 林仲珉;沈海军 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种芯片封装方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;在所述金属焊盘上形成球下金属电极;在所述球下金属电极表面形成焊球,所述焊球具有第一围裙结构,所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本发明的芯片封装方法增大了焊球和金属焊盘之间的附着力,提升了芯片封装的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片封装方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;在所述金属焊盘上形成球下金属电极;在所述球下金属电极表面形成焊球,所述焊球具有第一围裙结构,所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司,未经南通富士通微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210444530.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件的制造方法
- 下一篇:一种美容化妆水
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造