[发明专利]一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210444565.X | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103811331A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 石刚;刘翔宇;许颂临 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀的基片上依次形成有刻蚀停止层、刻蚀目标层和掩膜层，将待刻蚀基片放入等离子反应腔后以所述掩膜层为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀目标材料层，形成刻蚀孔垂直于下方刻蚀停止层的刻蚀孔；以第二刻蚀工艺刻蚀去除所述掩膜层；以第三刻蚀工艺刻蚀所述去除掩膜层后的目标材料层，直到所述形成修正后的刻蚀孔，修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面形成的夹角小于80度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 倾斜 侧壁 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔的刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀基片，所述基片上包括依次叠层的一层刻蚀停止层（30），一层待刻蚀的目标材料层（10）和一层图形化的掩膜层（20），所述刻蚀方法包括：以所述掩膜层（20）为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀目标材料层，形成刻蚀孔与下方刻蚀停止层（30）形成第一夹角；以第二刻蚀工艺刻蚀去除所述掩膜层（20）；以第三刻蚀工艺刻蚀所述去除掩膜层后的目标材料层，直到所述形成修正后的刻蚀孔，修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面形成的第二夹角小于80度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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