[发明专利]基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法有效
申请号: | 201210445105.9 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103107119A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 古屋敦城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法。即使对于大型的玻璃基板等体积电阻率值较大的基板,也具有充分的冷却效果,且能够获得与成本相称的对基板的冷却效果。在基板处理装置(10)的基板冷却系统中,基座(12)载置基板(G),静电吸盘(14)设于基座(12)的上部且静电吸附基板(G),气体流路(18)及温度调整气体供给装置(19)向被静电吸附的基板(G)与静电吸盘(14)之间的导热空间(T)供给温度调整气体,将导热空间(T)的厚度设定为50μm以下,气体流路(18)及温度调整气体供给装置(19)将3Torr(400Pa)以下的氮气或氧气作为温度调整气体供给到导热空间(T)。 | ||
搜索关键词: | 冷却系统 处理 装置 静电 吸盘 冷却 方法 | ||
【主权项】:
一种基板冷却系统,其包括:基板载置台,其用于载置基板;静电吸盘,其设于该基板载置台的用于载置上述基板的表面且用于静电吸附上述基板;气体供给系统,其用于向上述被静电吸附的基板与上述静电吸盘之间的导热空间供给温度调整气体,其特征在于,将上述导热空间的厚度设定为50μm以下,上述气体供给系统将3Torr以下即400Pa以下的氮气或氧气作为上述温度调整气体供给到上述导热空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造