[发明专利]透射式电子束泵浦的发光管无效
申请号: | 201210445111.4 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN102983496A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 | 申请(专利权)人: | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/04 | 分类号: | H01S5/04;H01S5/34 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及光源领域,具体涉及电致发光领域。透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,电致发光半导体机构生成在一底座上,还包括一激励源,激励源采用一电子枪系统;电致发光半导体机构设置在电子枪系统的靶向方向上。电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。相邻的两层电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层,从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。以便于提高转换效率和调控光的波长。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上,从而达到提高转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 透射 电子束 发光 | ||
【主权项】:
透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,所述电致发光半导体机构生成在一底座上,其特征在于,还包括一激励源,所述激励源采用一电子枪系统;所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上。
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