[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201210445565.1 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931159A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层；位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平；位于所述扩散阻挡层表面的焊球。由于所述焊球位于所述暴露出的扩散阻挡层表面，扩散阻挡层使得柱状电极与焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，所述焊球不容易从柱状电极脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层；位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平；位于所述扩散阻挡层表面的焊球。
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