[发明专利]RFLDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS器件，在P型沟道区下方增加了轻掺杂的P型埋层，以及位于轻掺杂P型埋层中的中等掺杂埋层，降低了寄生NPN管的基极电阻，使骤回效应不易发生，沟道及埋层形成的反向二极管可以箝制LDMOS的漏源电压，并将多余的电流下沉到基板上；漏极端较厚的栅氧可降低热载流子效应，源极端较薄的栅氧可提高器件的跨导。本发明还公开了所述RFLDMOS器件的制造方法，在工艺实现上，本发明只是在现有工艺中增加了两步光刻，简单易于实施。

主权项

一种RFLDMOS器件，位于P型硅衬底上的轻掺杂P型外延中，外延中具有N型轻掺杂漏极漂移区及与之抵靠接触的P型沟道区；所述N型轻掺杂漏极漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；所述P型沟道区中，包含有重掺杂P型沟道连接区及与之抵靠接触的重掺杂N型区，重掺杂N型区即所述RFLDMOS器件的源区；所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；在P型沟道区与N型轻掺杂漏极漂移区交界上方的硅表面上方具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物，多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙，金属硅化物、靠漏侧的侧墙、以及漏侧侧墙与漏区金属硅化物之间的N型轻掺杂漏极漂移区上均包裹介质层，多晶硅栅极上的金属硅化物靠漏区的部分上及N型轻掺杂漏极漂移区上的介质层上均覆盖一层金属层形成金属法拉第杯层；在整个器件表面具有层间介质，在重掺杂P型沟道连接区远离漏区的一侧的轻掺杂P型外延中还具有钨塞，钨塞底部连接到P型衬底中，钨塞上部也穿通层间介质；其特征在于：所述栅氧化层在多晶硅栅极下具有坡度，且靠漏区一侧的栅氧化层的厚度大于靠源区一侧的栅氧化层；第一P型埋层位于P型沟道区中，且第一P型埋层中还具有第二P型埋层；所述的第一P型埋层及第二P型埋层连接钨塞及重掺杂P型沟道连接区。