[发明专利]基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法有效

专利信息
申请号: 201210446318.3 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103018819A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 谷付星;林星;虞华康;方伟;童利民 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;G03F7/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法。该方法的步骤如下:将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上,把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面;用电加热器加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度,压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度;使用标准的商用平面反射型光栅作为模版,施加力在模版上,将光栅图案压印到高分子微纳光纤上;在高分子微纳光纤的表面上压印出布拉格光栅。通过纳米压印法制备的高分子微纳光纤布拉格光栅具有方法简单,成本低,适宜于大批量生产的特点。其应变传感的灵敏度比传统玻璃材料的灵敏度要高很多,这在激光器,传感器和纳米光机械系统等诸多领域中有着广泛的潜在应用。
搜索关键词: 基于 纳米 压印 高分子 光纤 布拉格 光栅 制备 方法
【主权项】:
一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法,其特征在于该方法的步骤如下: 1). 将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上,把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面;2). 用电加热器从下面加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度,压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度;3). 使用一块标准的商用平面反射型光栅作为模版,通过施加力在模版上,将光栅图案压印到高分子微纳光纤上;4). 经过压印后,关闭加热器,当玻璃基片冷却到常温时取下模版,这时,在高分子微纳光纤的表面上已经压印了布拉格光栅结构。
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