[发明专利]用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201210446555.X 申请日: 2012-11-10
公开(公告)号: CN102945897A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 李建明 申请(专利权)人: 长治虹源科技晶片技术有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人: 冷锦超;吴立
地址: 046000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种半导体技术,特别是涉及一种用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法,依次按粘胶、研磨、抛光、脱胶、退火、清洗步骤加工,粘胶步骤在常温下采用胶水使两片基片胚料粘接在一块共同加工,研磨步骤采用变速旋转方式分多次对粘接后的基片胚料进行双面研磨使基片减薄,抛光步骤使用抛光液采用双面抛光的方式,脱胶步骤通过加热粘接的基片胚料使其开胶,再使用乙醇或热碱溶液使其去胶,退火步骤采用高温垒片退火;本发明解决了现有蓝宝石基片的加工工艺都是针对普通衬底,而且生产效率低的问题,提供一种生产效率高、加工成本低并且加工较完善的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法。
搜索关键词: 用于 图形 衬底 蓝宝石 加工 方法
【主权项】:
一种用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法,其特征在于:依次按粘胶、研磨、抛光、脱胶、退火、清洗步骤加工;所述粘胶步骤在常温下采用胶水使两片基片胚料粘接在一块共同加工;所述研磨步骤采用变速旋转方式分多次对粘接后的基片胚料进行双面研磨使基片减薄;所述抛光步骤使用抛光液采用双面抛光的方式;所述脱胶步骤通过加热粘接的基片胚料使其开胶,再使用乙醇或热碱溶液使其去胶;所述退火步骤采用高温垒片退火。
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